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    3.  SiC基MOS芯片

产品特征:

1. 低开关损耗
2. 正温度系数
3. 易于并联


典型应用

1. 中功率驱动
2. 电机驱动



规格型号:

SiIGBT芯片

技术

晶圆直径

VCEmax

ICEmax

VCEsat

最高结温

FS+Trench

8 inch

650V

200A

1.6V

175

FS+Trench

8 inch

750V

200A

1.6V

175

FS+Trench

8 inch

1200V

100A

1.8V

175

FS+Trench

8 inch

1200V

150A

1.8V

175

FS+Trench

8 inch

1200V

200A

1.8V

175


产品特征:

1. 反向恢复时间短
2. 反向恢复电荷低
3. 低正向压降


典型应用:

1. 中功率驱动
2. 电机驱动


规格型号:

SiFRD芯片

技术

晶圆直径

VRRM

IF

VF

最高结温

电子辐照

6 inch

650V

200A

1.4V

175

电子辐照

6 inch

650V

300A

1.4V

175

电子辐照

6 inch

750V

200A

1.6V

175

电子辐照

6 inch

750V

300A

1.6V

175

电子辐照

6 inch

1200V

100A

1.8V

175

电子辐照

6 inch

1200V

150A

1.8V

175

电子辐照

6 inch

1200V

200A

1.8V

175


产品特征:

1. 高开关速度
2. 高击穿电压
3. 低导通电阻
4. 低开关损耗
5. 易于驱动


典型应用:

1. 充电桩
2. 逆变器
3. 高压DC/DC转换
4. 功率因子校正
5. 电机驱动


规格型号:

SiCMOS芯片

技术

晶圆直径

VDS

ID

RDS(on)

最高结温

平面VDMOS

4inch

1200V

30A

80mΩ

175

平面VDMOS

4inch

1200V

60A

40mΩ

175

平面VDMOS

4inch

1200V

150A

15mΩ

175

平面VDMOS

4inch

1200V

170A

10mΩ

175


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